1Q19三星業(yè)績(jī)大幅下滑，2Q19內(nèi)存價(jià)格下行趨勢(shì)依舊：2019年1季報(bào)顯示，三星內(nèi)存業(yè)務(wù)營(yíng)收同比下降34%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比下降64.32%；以中國(guó)臺(tái)灣廠商南亞科營(yíng)收月度數(shù)據(jù)看，近3個(gè)月?tīng)I(yíng)收同比下滑40%。我們認(rèn)為2Q19內(nèi)存價(jià)格下行趨勢(shì)不變。

三大廠供給過(guò)剩，消費(fèi)電子需求疲軟：供給端產(chǎn)能高度集中，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片供給彈性較低。雖然三星、海力士和美光均宣布下調(diào)2019年資本支出15-20個(gè)百分點(diǎn)，但資本支出的下調(diào)短期難以遏制價(jià)格下行。目前DRAM供應(yīng)商庫(kù)存水平在1Q19超過(guò)了7周，下游手機(jī)端庫(kù)存維持在5周以上，服務(wù)器、PC端庫(kù)存維持在8周左右。從需求端來(lái)看，預(yù)計(jì)2019年智能手機(jī)、服務(wù)器、PC市場(chǎng)增速均有不同程度下滑。需求端的疲軟給供給端去庫(kù)存帶來(lái)較大壓力。

預(yù)計(jì)DRAM跌幅3Q19短暫收窄，NAND價(jià)格年內(nèi)持續(xù)下跌：3Q19是消費(fèi)電子傳統(tǒng)旺季，內(nèi)存價(jià)格有望暫時(shí)止跌，但整體價(jià)格下行趨勢(shì)或持續(xù)到4Q19。目前NAND每GB價(jià)格同比下降37%，加之DRAM短期產(chǎn)能充足，NAND產(chǎn)能不會(huì)被壓縮。因此我們預(yù)計(jì)4Q19NAND價(jià)格仍會(huì)持續(xù)下跌。

投資建議：1）我們認(rèn)為DRAM價(jià)格下行趨勢(shì)仍將繼續(xù)至年底。供給過(guò)剩的情況難以在短期得到改善，3Q19消費(fèi)電子出貨旺季，DRAM或暫時(shí)止跌，但年內(nèi)價(jià)格將會(huì)低于1Q19。2）我們認(rèn)為NAND的價(jià)格長(zhǎng)期趨勢(shì)仍會(huì)保持下行：固態(tài)硬盤替代機(jī)械硬盤的趨勢(shì)較為確定，隨著96層、128層3DNAND的投產(chǎn)，單片容量的提升造成價(jià)格下降。固態(tài)硬盤每GB價(jià)格接近機(jī)械硬盤2倍時(shí)，服務(wù)器端有望實(shí)現(xiàn)大規(guī)模更換替代。目前固態(tài)硬盤每GB市場(chǎng)銷售價(jià)是機(jī)械硬盤的4倍以上，因此長(zhǎng)期來(lái)看NAND價(jià)格仍有下降空間。

風(fēng)險(xiǎn)提示：1）中美貿(mào)易摩擦進(jìn)一步加劇，供給受限：全球主要智能手機(jī)、服務(wù)器廠商芯片供給受到影響需求降低，導(dǎo)致庫(kù)存進(jìn)一步上升。2）遭遇不可抗力影響，導(dǎo)致短期供給降低：全球主要廠商工廠遭遇地震、火災(zāi)等不可抗力影響導(dǎo)致產(chǎn)能大幅降低，價(jià)格上升。3）國(guó)內(nèi)5G部署不及預(yù)期，累及下游消費(fèi)電子需求持續(xù)疲軟：目前來(lái)看，運(yùn)營(yíng)商的5G部署進(jìn)程基本與預(yù)期一致。但中美貿(mào)易談判的不確定或?qū)е履Σ吝M(jìn)一步加劇，從而影響國(guó)內(nèi)運(yùn)營(yíng)商的5G部署進(jìn)程放緩，累及行業(yè)增長(zhǎng)。